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半导体激光核心技术

  • 共晶键合技术

  • 热管理技术

  • 热应力控制技术

  • 界面材料与表面工程技术

  • 测试分析诊断技术

  • 共晶键合技术

    采用硬焊料AuSn和与芯片热膨胀系数相匹配的高热导率基材作为半导体激光器的贴片材料,高温共晶键合,有效地避免了铟的热疲劳、电热迁移和氧化等缺陷,大大提高半导体激光器的工作寿命、环境适应性与存贮时间。
  • 热管理技术

    优化热管理结构,采用高导热材料,有效解决了高功率半导体激光器热管理问题,大幅提升了产品性能和可靠性,连续波半导体激光器功率已达150W/巴,准连续半导体激光器峰值功率已达500W/巴。
  • 热应力控制技术

    研究热应力对高功率半导体激光器性能的影响机理,提出了降低和均匀化应力的方法和工艺技术,使得半导体激光器件的应力大大降低、均匀性显著提高,性能参数提高(如SMILE降低、偏振度提高、光谱变窄)。
  • 界面材料与表面工程技术

    开发了材料表面处理技术,显著改善贴片材料表面的表面态,增强了表面浸润特性,提高贴片的强度和长期可靠性;开发了金锡共晶合金薄膜制备技术,组分可调可控,实现稳定可靠的无铟化贴片。
  • 测试分析诊断技术

    系统研究了高功率半导体激光器性能稳定性机制,提出了扩散阻碍层优化结构,开发了相应的制备工艺技术,大大提高了键合界面的可靠性与稳定性。

激光光学核心技术

  • 晶圆级同步结构化激光光学制造技术

  • 光刻-反应离子蚀刻法晶圆级微纳光学精密加工制造技术

  • 纳米压印精密微纳光学设计与加工制造技术

  • 光束转换技术

  • 光场匀化技术

  • 晶圆级同步结构化激光光学制造技术

    基于晶圆级同步结构化激光光学制造技术制备12英寸(300mm×300mm)玻璃微光学晶圆、纳米级精度折射型微透镜元件(ROE)的技术能力,能够实现在零维(点)、一维(线)、二维(面)三个维度对多种类型激光光束的精准整形和调控,以满足不同的应用需求。
                                        
  • 光刻-反应离子蚀刻法晶圆级微纳光学精密加工制造技术

    在6或8英寸硅或熔融石英晶圆上通过精密光刻-反应离子蚀刻的工艺实现微纳光学元器件的加工制造。微透镜典型中心厚度为0.3-3mm,矢高可达0.1mm,微透镜阵列pitch距离间隔精度小于0.3μm。除常见的单面(非)球微透镜结构外,亦可加工(非)柱面微透镜、2-20μm尺寸的凹槽、中心对齐精度小于3μm的双面微透镜结构,微透镜背面可加工45°角的微棱镜
  • 纳米压印精密微纳光学设计与加工制造技术

    结合微纳光学设计目标进行母版的设计与制造,在8英寸晶圆基板上进行精密压印,达到小于±5μm的模具与基板对准精度。可实现高精度对准的双面压印,或双晶圆胶合形成堆叠结构的微纳光学元器件,填充因子接近100%。小母版重复翻印技术可大幅降低母版制造周期与成本,并具备针对堆叠复合结构微纳光学晶圆精密切割的技术能力。目前正在通过技术研发和设备升级,形成12英寸晶圆微纳光学加工制造能力
  • 光束转换技术

    Focuslight BTS技术:将极端不对称的光束转变为基本对称光束。
  • 光场匀化技术

    独特的光学设计及微透镜加工能力,实现业界高标准的光斑匀化。为世界顶级企业的泛半导体制程设备提供激光匀化系统。
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