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晶圆激光退火 点击下载单页

半导体激光系统和激光光学系统在现代半导体制造工业,如半导体晶圆退火等应用中扮演着至关重要的角色。


晶圆激光退火(Laser Annealing)是28nm及以下逻辑芯片制造中的关键工艺之一。该工艺采用近红外波段半导体激光光源,通过多组不同功能的激光光学整形系统及光学匀化系统,在工作距离下达成12mm*70µm的极窄线激光光斑,并保证光斑长度方向>95%的能量均匀性。在不到一毫秒的时间内,晶圆表层原子被加热到1000°C以上,再通过急速冷却,使晶圆表面局部形成超浅结和高激活结,从而起到提升晶圆生产的良品率的目的。


炬光科技推出的DLight S系列半导体集成电路晶圆退火系统,结合产生光子的共晶键合技术、激光光源热管理技术、热应力控制技术以及调控光子的激光光束转换技术和光场匀化技术,生产一条长宽比达160:1的近红外波段极窄线光斑,并在光斑长度方向达到>95%的能量均匀性和>98%的能量稳定性。应用在半导体前道工序中的多种加工工艺。

晶圆激光退火

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