SPIE同期报告 | 炬光科技学术报告分享

演讲信息

美国，旧金山

Moscone South, Room 206 (Level 2)

1月27日

演讲人信息：张浩，炬光科技研发中心研发经理，2022年加入炬光科技，负责激光雷达线光斑发射模组的技术研发、产品开发工作，曾发表多篇SCI及专利。

15:00-15:20（PST）

基于G-Stack平台边发射激光(EEL)的高性能激光雷达线光源模组

摘要：线光斑LiDAR因架构简单、可靠性高、生成的点云规整度高以及尺寸更小，已成为主流的激光雷达技术方案。在追求提高激光雷达的高分辨率和远程探测能力的过程中，发射端模组发挥着关键作用。炬光科技开发了基于G-Stack平台的线光斑发射模组，与传统COB封装相比，显著减小了封装寄生，优化了散热路径，峰值功率提高25%，结温降低约10.4°C，在高低温环境中模组均拥有稳定的光学性能。

1月28日

演讲人信息：Chun He 博士，炬光科技首席科学家，21项美国专利的唯一或共同发明者，25项国际专利的发明者。作为主要作者，曾发表超过50篇行业学术文章，并且多次受邀参与国际、国内研讨会及学术会议，发表过50次以上演讲。

10:40-11:10（PST）

新型高增益、可抑制ASE的高效光纤放大器（特邀报告）

摘要：该新型放大器实现了创纪录的47dB增益，同时ASE被抑制至低于激光信号-40dB，拥有宽动态范围，可在输入信号低至10pW时运行。这种新型设计已成功在实验中应用于1.5μm波段的掺铒光纤放大器和1.0μm波段的掺镱放大器，运行条件包括连续波、直接驱动的2ns激光脉冲、锁模10ps光纤激光器以及色散补偿的锁模100fs孤子光纤激光器。在低重复频率下，ASE与受激辐射强烈竞争时，该放大器的性能尤其优于传统光纤放大器。

14:30-14:50（PST）

基于先进键合技术和创新结构设计的高功率半导体激光器

摘要：长脉冲模式下运行的高功率半导体激光器，在医疗美容应用中对可靠性有着严格要求。在研究中，我们开发了一种高性能的半导体激光器设备。对于波长为808 nm、腔长为1.5 mm的半导体激光器芯片，其热阻仅约为0.3 K/W。在连续模式下，其热翻转功率达到268 W，比采用传统MCC（微通道冷却器）直接与芯片键合的方式高出40%。在准连续模式下（20 ms脉冲，10 Hz），最大功率达到345 W，提升了15%。

16:00-16:20（PST）

在长脉冲条件下具有高可靠性的高功率InP半导体激光器

摘要：对于基于InP衬底的高功率半导体激光芯片，其物理性质与基于GaAs衬底的不同，因此需要开发具有低热阻和低封装应力的封装技术，以实现高可靠性和高功率。我们开发了一种基于InP的1470 nm激光器，采用被动导热散热器，具有低键合应力和低热阻，且通过创新的封装工艺成功制成。对于腔长为2 mm的激光芯片，设备的热阻约为0.27°C/W，且在连续波150 安培电流工作条件下，其热翻转功率可达到60 W。此外，这些激光器在长脉冲工作条件下仍表现出高可靠性。

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